Dodał admin, 2007-10-09 Autor / Opracowanie: Tomasz Bajdan

Pierwszy tranzystor skonstruowano w 1947 roku w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories. Wynalazcami są John Bardeen, Walter Houser Brattain oraz William Bradford Shockley.

Tranzystor – (z ang. transfer resistor) trójelektrodowy przyrząd półprzewodnikowy do wzmacniania, generacji i przemiany drgań elektrycznych, tj. stanowiący element czynny układów elektron.; pełni funkcję wzmacniacza, przełącznika, detektora itp.

Podział tranzystorów ze względu na zasadę działania
 
Tranzystor bipolarny dwuzłączowy
Najpowszechniejszy jest tranzystor bipolarny dwuzłączowy
Nazwa bipolarny pochodzi stąd, że w przepływie prądu istotny jest udział nośników ładunków obydwu znaków; ujemnych elektronów i dodatnich dziur
Wzmacnianie zachodzi w obszarze dwóch złączy p- n wytworzonych w monokrysztale półprzewodnika bardzo blisko siebie (w odległości 1 ľm lub nawet mniej)- w odległości znacznie mniejszej niż długość drogi dyfuzji nośników mniejszościowych. Najsilniej domieszkowany obszar zewnętrzny n+ nazywa się emiterem, gdyż ma on zdolność wprowadzania (wstrzykiwania lub emitowania) nośników mniejszościowych o dużej koncentracji do obszaru środkowego zwanego bazą. Drugi obszar zewnętrzny, w którym zbierane są nośniki przechodzące przez bazę, nazywa się kolektorem. Napięcia polaryzacji i sygnały doprowadza się do tych trzech obszarów za pośrednictwem kontaktów, metal- półprzewodnik o małej oporności liniowej.
Wskutek dużych różnic koncentracji nośniki większościowe z każdego obszaru mają tendencje do przechodzenia do sąsiedniego obszaru, co jest przejawem dążności do wyrównania koncentracji w całym krysztale. Prowadzi to do powstawania ładunku przestrzennego i bariery potencjału na granicy między obszarami. W warunkach równowagi termodynamicznej bariery potencjału utrzymują w równowadze bez przyłożonych napięć zewnętrznych, prądy nośników dyfundujących przez barierę i unoszonych przez pole bariery w kierunku przeciwnym, tak, że wypadkowe prądy w każdym złączu p-n są równe 0.
W normalnych warunkach pracy złącze tranzystorowe emiter- baza jest spolaryzowane z zewnątrz w kierunku przewodzenia, to znaczy tak, że napięcie zewnętrzne obniża barierę potencjału, natomiast złącze kolektor- baza jest silnie spolaryzowane z zewnątrz w kierunku zaporowym, to znaczy napięcie zewnętrzne znacznie zwiększa barierę. Dzięki obniżeniu bariery w złączu emiter- baza znacznie większa liczba elektronów swobodnych w paśmie przewodnictwa w obszarze emiterowym ma energię wystarczającą do pokonania bariery i przepływa do obszaru bazy.
Podobnie następuje przepływ dziur z obszaru bazy do obszaru emitera lecz strumień dziur jest znacznie mniejszy, co wynika z asymetrii domieszkowania obszarów. Prąd przepływający między emiterem a bazą jest, więc głównie prądem nośników mniejszościowych wprowadzonych do bazy. Wprowadzone nośniki mniejszościowe dyfundują poprzez bazę, gdzie znikoma ich część rekombinuje z nośnikami większościowymi bazy, a większość osiąga złącze kolektor- baza, zwiększając prąd kolektora. Pominąwszy bardzo mały prąd nasycenia złącza kolektor - baza, związany z przepływem nośników mniejszościowych generowanych termicznie po obydwu stronach łącza, prąd kolektora jest proporcjonalny do prądu emitera. Tranzystor jest, więc sterowanym źródłem prądowym o bardzo dużej oporności wyjściowej i bardzo małej oporności oporu sterującego. Chociaż więc w układzie o wspólnej bazie wzmocnienie prądowe jest mniejsze od 1, to dzięki takiej transformacji oporności uzyskuje się możliwość bardzo dużego wzmocnienia mocy.
Dwa tranzystory p-n-p i n-p-n o zbliżonych parametrach, lecz różniące się typem przewodnictwa bazy, noszą nazwę pary komplementarnej.
Tranzystor ma elementy pasożytnicze, np. oporności szeregowe obszarów półprzewodnikowych i pojemności złączy, ograniczające jego charakterystyki częstotliwościowe.