Dodał admin, 2008-03-08

Pojedyncza komórka DRAM składa się w rzeczywistości tylko z tranzystora i kondensatora. Z tego też względu pamięć DRAM pozwala na uzyskanie najwyższego stopnia integracji.

Architektura ta ma jednak swoją wadę. W pamięci dynamicznej poszczególne informacje są bowiem przechowywane w miniaturowych kondensatorach, które szybko tracą swój ładunek, co powoduje konieczność ciągłego odświeżania zawartości DRAM (Refresh). Adresowanie takiej pojedynczej komórki pamięci odbywa się w dwóch etapach: najpierw wybierany jest adres wiersza (RAS, Row Ad-dress Strobe), a następnie kolumny (CAS, Column Address Strobe). Po ustaleniu tych adresów procesor komputera może dokonać zapisu lub odczytu danej informacji – w zależności od tego, jaką wartość logiczną posiada sygnał odczytu/zapisu.
Nowsza odmiana pamięci DRAM nosi nazwę FPM-DRAM (Fast Page Mode DRAM) i w postaci modułów SIMM wy-stępuje obecnie jeszcze w wielu komputerach 486 i Pentium. W układach FPM- DRAM dostęp do pamięci jest znacznie szybszy niż w klasycznych modułach DRAM, gdyż adres wiersza RAS (adres strony) jest generowany tylko raz, jeżeli kolejne komórki pamięci znajdują się na tej samej stronie pamięci .
Pamięae EDO-DRAM (Extended Data Out DRAM) posiada niemal identyczną budowę jak FPM-DRAM. Jedyna różnica polega na tym, że w przypadku pamięci EDO odczytane informacje pozostają na magistrali danych także wtedy, gdy sygnał CAS (adres kolumny) przestaje być aktywny. Dzięki takiemu mechanizmowi buforowania procesor może już w trakcie odczytu danych generować kolejny adres. Rozwiązanie to pozwala zwykle zaoszczędzić jeden lub dwa takty zegara, ale może być stosowane tylko przy operacjach odczytu.
Pamięae Burst-EDO-DRAM jest jeszcze szybsza i może być wykorzystywana jedynie w nowoczesnych płytach głównych Pentium. Płyty te nie adresują już pojedynczych komórek pamięci roboczej, lecz zapisują i odczytują dane pogrupowane w specjalne pakiety, zwane fachowo „Burst”. Z reguły jeden pakiet Burst składa się z czterech podwójnych słów, a więc liczy 4 x 32 bity. Szybki dostęp do pamięci jest tu możliwy dlatego, że układ Burst-EDO-DRAM wyręcza procesor w generowaniu adresów kolumn – i to zarówno podczas odczytu, jak i zapisu danych. Tak duża różnorodność modułów pamięci nie powinna nas jednak przerażać: przeciętny użytkownik ma bowiem do czynienia z reguły z układami FPM i EDO.