Dodał admin, 2007-10-09 Autor / Opracowanie: Tomasz Bajdan

Pierwszy tranzystor skonstruowano w 1947 roku w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories. Wynalazcami są John Bardeen, Walter Houser Brattain oraz William Bradford Shockley.

 Najnowszą metodą jest użycie krzemu na elektrodę bramki (Silikon Gate Transistor) lub molibdenu (Refactory MOS) zamiast powszechnie stosowanego dotychczas aluminium. Dzięki obniżeniu różnicy prac wyjścia uzyskuje się napięcie progowe o wartości 1,5 do 2 V. Stosując jednocześnie krzem o orientacji (100) i bramkę krzemową można uzyskać napięcie progowe o wartości 0,4 do 1 V. Inną nowoczesną metodą jest regulacja napięcia progowego za pomocą inplantacji jonów w kanale. Metoda ta polega na wprowadzeniu do półprzewodnika jonów domieszek przyspieszanych w silnych polach elektrycznych. Jony uzyskują energię na tyle dużą, że mogą wejść w głąb sieci krystalicznej.
Istnieje trzeci typ tranzystora polowego, który może pracować zarówno w warunkach wzbogacenia jak i zubożenia kanału w zależności od kierunku polaryzacji bramki. Ten typ tranzystora różni się od przedstawionego na rysunku 18 tym, że ma dyfundowany kanał typu n łączący znacznie silniej domieszkowane obszary źródła i drenu n+.
Największą zaletą tranzystorów polowych o izolowanej bramce jest bardzo duża oporność wejściowa, rzędu 1014 Ω. Prostota konstrukcji i bardzo małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej skali integracji zawierających na jednej monolitycznej płytce krzemowej kilka tysięcy tranzystorów połączonych w kompletny system elektroniczny, np. arytmometr. Tranzystory MOS umożliwiają także budowę układów pobierających znikomo małe moce, rzędu mikro- lub nawet nanowatów, mających szczególne zastosowanie w implantowanych aparatach medycznych i urządzeniach kosmicznych. Tranzystory MOS ustępują tranzystorom bipolarnym pod względem częstotliwości granicznej.
Tranzystory wyparły lampy elektronowe z wielu dziedzin zastosowania, dając podstawę rozwoju nowej wielkiej gałęzi przemysłu elektronicznego- przemysłu półprzewodnikowego.
W roku 2001 Holenderscy naukowcy z Uniwersytetu w Delft stworzyli tranzystor składający się z jednej cząsteczki! Rozmiar tego cudu miniaturyzacji wynosi zaledwie jeden nanometr (10 -9 m), a do zmiany swojego stanu (włączony / wyłączony) potrzebuje on tylko jednego elektronu!
Naukowcy przewidują, że ich wynalazek pozwoli na konstruowanie układów miliony razy szybszych od obecnie stosowanych, przy czym ich wielkość pozwoli na dalszą miniaturyzację elektronicznych urządzeń.