Dodał admin, 2007-10-09 Autor / Opracowanie: Tomasz Bajdan

Pierwszy tranzystor skonstruowano w 1947 roku w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories. Wynalazcami są John Bardeen, Walter Houser Brattain oraz William Bradford Shockley.

 Tranzystor bipolarny jednozłączowy
Tranzystor jednozłączowy (ang. UJT, unijunciton transistor) zwany również jest diodą o dwóch bazach zawiera złącze p-n, utworzone przez umieszczenie małego pręcika z materiału typu p wewnątrz bryłki z materiału typu n. Wykonany jest z krzemu o bardzo wysokiej oporności właściwej rzędu 100 Ωcm. W jednym z rodzajów konstrukcji, do bryłki materiału n dopasowane są dwa metalowe doprowadzenia, zwane bazami. W miejscach doprowadzenia nie występują złącza p-n.
Elektroda B1 jest punktem odniesienia dla całego układu. Między elektrodami B1 i B2 występuje rezystancja międzybazowa, której wartość w warunkach rozwarcia obwodu emitera jest rzędu kilku tysięcy omów. Po doprowadzeniu do B2 napięcia dodatniego, w obszarze materiału n pomiędzy B2 i B1 wytwarza się równomiernie rozłożony spadek napięcia.
W miejscu umieszczenia emitera E napięcie względem elektrody B1 jest określoną częścią napięcia międzybazowego i wynosi hUBB. Współczynnik h nazywa się współczynnikiem podziału napięcia. Jego wartość wynosi zazwyczaj od 0,5 do 0,8.
Gdy napięcie emitera UE jest mniejsze niż (hUBB + UD), złącze p-n między emiterem a bryłką polaryzowane jest w kierunku zaporowym.
UD oznacza potencjał dyfuzyjny złącza. W przypadku złącza krzemowego jest on rzędu 0,7 V. Gdy napięcie jest większe niż (hUBB + UD), złącze polaryzowane jest w kierunku przewodzenia. Gdy złącze jest spolaryzowane zaporowo, prąd emitera IE jest pomijalnie mały. Natomiast, gdy złącze zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia, prąd emitera osiąga duże wartości. Prąd emitera powoduje wprowadzenie do obszaru n bazy nośników dziurowych. Dziury te zmniejszają rezystancję materiału typu n, co umożliwia przepływ dużego prądu w obwodzie międzybazowym. Jednoczesne występowanie dziur i elektronów w obszarze bazy między emiterem a bazą B1 gwałtownie zmniejsza spadek napięcia na tej części obszaru bazy. W związku z tym, prąd emitera gwałtownie rośnie, a charakterystyka UE (IE) wykazuje zakres oporności ujemnej. Przebieg charakterystyki UE (IE) dla przypadku idealnego przedstawiono na rysunku 12. Punkt, w którym dioda włącza się lub zapala, jest nazywany punktem szczytowym i określony przez wartości IP oraz UP. Przy większych wartościach prądu emitera, spadek napięcia między emiterem a bazą B1, początkowo rośnie ze wzrostem IE, a następnie ustala się osiągając wartość nasycenia, oznaczoną symbolem UES lub UEB1S. Najniższy punkt charakterystyki, o współrzędnych IV i UV, nazywamy punktem doliny.

 Unipolarne tranzystory polowe
Unipolarne tranzystory polowe (ang. unipolar fidel effect transistors). Nazw unipolarny pochodzi stąd, że w przepływie prądu istotny jest udział nośników tylko jednego znaku, nośników większościowych w obszarze przepływu, zwanym kanałem. Nazwa polowy zaś stąd, że sterowanie przepływem nośników większościowych kanale odbywa się za pomocą pola elektrostatycznego przykładanego za pomocą elektrody zwanej bramką. Rozróżnia się tranzystory polowe o bramce złączowej (ang. junction FET) i tranzystory polowe o bramce izolowanej dielektrycznie (ang. isulated gate FET).
Kanałem jest tu obszar typu n mający na końcach metalowe kontakty nieprostujące. Ujemnie spolaryzowany kontakt, przez które elektrony wpływają do kanału, nosi nazwę źródła (S), a drugi kontakt, z którego elektrony wypływają nosi nazwę ujścia lub drenu (D). Bramkę G tworzą górne i dolne złącza p – n, które SA wewnętrznie lub zewnętrznie połączone i mają jednakowy potencjał.
Jeżeli napięcie UG = 0, a napięcie UDS stopniowo wzrasta, to UDS polaryzuje złącza zaporowo. Jednakże ze względu na spadek napięcia wzdłuż kanału, związany z przepływem prądu ID, polaryzacja jest nierównomierna. Silniej są spolaryzowane obszary złączy położone bliżej drenu. Obszary warstwy ładunku przestrzennego wstecznie spolaryzowanych złączy, pozbawione ruchomych nośników ładunku, rozbudowują się w głąb kanału, zwężając jego czynny przekrój.
Im większe jest napięcie UDS , tym węższy jest kanał, co powoduje nieliniowy wzrost ID ze wzrostem UDS. Przy pewnej wartości UDS = UP, zwanym napięciem odcięcia (pinch – off), następuje zetknięcie warstwy ładunku przestrzennego obydwu złączy w miejscu o najsilniejszej polaryzacji i następuje odcięcie kanału. Dalszy wzrost napięcia UDS nie powoduje już wzrostu ID.