Dodał admin, 2007-10-09 Autor / Opracowanie: Tomasz Bajdan

W przemyśle elektronicznym najczęściej stosowanymi materiałami półprzewodnikowymi są pierwiastki krzem, german oraz związki pierwiastków arsenek galu, azotek galu, antymonek indu lub tellurek kadmu

Analiza zjawiska wskazuje na konieczność uwzględniania zmiany charakteru wiązań (statystyka bliskiego uporządkowania) podczas nagrzewania. Tłumaczy to również anomalny przebieg temperaturowy gęstości ciekłych stopów o znacznej zawartości Telluru. Obserwowane maksymalne gęstości tych stopów i zmiana charakteru zależności jej od temperatury związane są z szybko postępującą „metalizacją” wiązań w czasie ogrzewania i towarzyszącym jej zagęszczeniem średniego upakowania, zachodzącym szybciej niż normalne zjawisko rozszerzalności cieplnej.
Stopy o dużej zawartości selenu zachowują się zachowują się zupełnie inaczej niż stopy bogate w tellur. Oporność elektryczna ciekłych stopów bogatych w Se jest znacznie większa niż ich oporność w stanie stałym. Zależność od temperatury oporności takich ciekłych stopów jest typowo półprzewodnikowa. Lepkość ich nawet w wysokiej temperaturze jest znacznie większa niż ciekłych metali. Do 800 oC właściwości metaliczne właściwie się nie objawiają. Przejściu ze stanu stałego w ciekły towarzyszy znaczny wzrost objętości wynikający z rozluźnienia wiązań między łańcuchami, których zbudowana jest sieć krystaliczna tych substancji. Innymi przykładami zmian właściwości półprzewodnikowych przy przechodzeniu w stan ciekły jest są zmiany przewodności elektrycznej i gęstości Si, Ge, GaSb, Inst., HgSe, Hg,Te .
Zależność od temperatury T(w oC) przewodności elektrycznej (w Ω-1 cm-1 ) i gęstości d (w gcm-3) krzemu, germanu, GaSb, Inst., HGTe, HgSe w stanie stałym i ciekłym; Tm temperatura zmiany właściwości półprzewodnikowych na metaliczne.
W Si stwierdzono doświadczalnie wzrost gęstości przy topnieniu. Topnieniu Si, Ge, GaSb, i Inst. Towarzyszy znaczny wzrost przewodności elektrycznej do wartości typowych dla dla ciekłych metali oraz odpowiednia zmiana współczynnika termicznego oporności. Substancje te są, zatem w stanie stałym półprzewodnikami, a w stanie ciekłym metalami. Charakter dominujących wiązań zmienia się, więc z homeopolarnego na metaliczny. Gęstość Si, Ge, GaSb, InsSb w stanie ciekłym jest większa niż w stanie stałym, co jest związane ze zmianą bliskiego uporządkowania w kierunku zwiększenia liczby koordynacyjnej. Dane te znajdują potwierdzenie w badaniach struktury tych substancji metodami rentgenograficznymi i elektronograficznymi.